Samsung Electronics anuncia nova memória HBM2E Flashbolt com o dobro da densidade da HBM2

A Samsung Electronics anunciou sua última versão do HBM2 (High Bandwidth Memory ou Memória de alta largura de banda) na GPU Technology Conference (GTC) da Nvidia para, de acordo com a empresa, oferecer os mais altos níveis de desempenho DRAM para uso em supercomputadores, sistemas gráficos e inteligência artificial (AI). O novo produto (HBM2E), chamado Flashbolt, vem com um aumento interessante na capacidade e no desempenho geral.

Flashbolt é o primeiro HBM2E da indústria a oferecer uma velocidade de transferência de dados de 3,2Gbps por pino, que é 33% mais rápida do que a HBM2 da geração anterior. Ele também tem uma densidade de 16Gb por dado, o dobro da anterior.

Com essas melhorias, um único pacote Samsung HBM2E oferecerá uma largura de banda de dados de 410GBps e 16GB de capacidade. Uma Radeon VII equipada com esse tipo de memória teria capacidade de 1.64TB/s de largura de banda e 64GB de RAM onboard, por exemplo.

"Continuaremos a expandir nossa oferta premium de DRAM e melhorar nosso segmento de memória de 'alto desempenho, alta capacidade e baixa potência' para atender a demanda do mercado", disse Jinman Han, vice-presidente sênior de Planejamento de Produto de Memória e Equipe de Engenharia de Aplicação na Samsung Electronics.

A AMD usou o HBM2 para suas placas Vega 56, 64 e Radeon VII, mas a Nvidia optou por contar com o GDDR6, que também oferece suas próprias melhorias de densidade.