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Samsung anuncia conclusão do desenvolvimento de processos em 5nm EUV


A Samsung Electronics anunciou nesta terça-feira (16) que seu processo de desenvolvimento da tecnologia FinFET (Fin Field Effect Transistor) de 5nm em EUV chegou ao fim. Segundo a sul-coreana, o desenvolvimento foi um grande sucesso e o resultado já está pronto para ser apresentado em amostras para seus clientes. 


Nvidia pode usar 7nm EUV da Samsung em sua próxima linha de GPUs em 2020

Em um comparativo com os processos de 7nm e 5nm, a tecnologia FinFET fornece um aumento de 25% na eficiência de área lógica e 10% no desempenho geral do processo, tudo isso tendo um consumo de energia 20% menor. Com o da litografia EUV é possível reduzir as camadas de máscara e substituí-las por padrões de camada de metal, proporcionando menos gasto energético e atendendo a demanda do mercado com produtos competitivos. 


Para conseguir uma pequena vantagem no mercado com sua tecnologia FinFET de 5nm, a Samsung vai reutilizar suas propriedades intelectuais em 7nm para ajudar seus clientes a migrar para o novo processo. Ou seja, os clientes que forem fazer uma migração para os produtos feitos no novo processo terão redução no custo, caso já façam o uso das tecnologias em 7nm.  



"Em resposta à crescente demanda dos clientes por tecnologias de processo avançadas para diferenciar seus produtos de última geração, continuamos nosso compromisso de acelerar o volume de produção de tecnologias baseadas em EUV".

Charlie Bae, vice-presidente executivo da Samsung Electronics


Em outubro de 2018 a empresa deu início a produção em massa de processos em 7nm EUV e forneceu a tecnologia aos seus clientes no começo do ano. Em seguida já começou o desenvolvimento do seu primeiro chip em 6nm em colaboração com outras empresas. 



Samsung divulga planos de começar produção em massa no processo de 3nm GAAFET em 2021


Com sua gama de processos produzidos na litografia EUV, a fabricante pretende expandir sua capacidade para a Samsung Foundry em Hwaseong, na Coréia do Sul, no segundo semestre. Assim, a implementação de sua tecnologia FinFET de 5nm em EUV deve começar em 2020, e vai disputar espaço no mercado com a concorrente TSMC

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