Samsung inicia produção de memórias RAM DDR4 de 2ª geração em 10 nm

A Samsung iniciou a produção dos primeiros chips de memória RAM DDR4usando seu novo processo de produção de 10nm de 2ª geração. Com isso, a empresa pode começar a fabricar circuitos integrados (da sigla em inglês IC) para DRAMs com dies de tamanho reduzido.

Além disso, o novo processo vai trazer desempenho 10% superior e até 15% mais eficiência energética que a geração anterior para os módulos de memória RAM. Segundo a fabricante, os novos circuitos podem operar numa taxa de até 3.600Mb/s por pino (padrão DDR4-3600) na tensão elétrica do DDR4. Até por isso, eles já foram validados pelas principais fabricantes de GPU do mercado — Intel, AMD IBM e Qualcomm, entre outras.

Para comparação, a geração anterior de circuitos da companhia tem desempenho de 3.200Mb/s por pino. O novo processo de 10nm também será usado por outros produtos de memória da companhia, inclui DDR5, HBM3, LPDDR5 e GDDR6.

O novo IC inclui um sistema de sensores de dados que fornecem uma estimativa mais precisa da quantidade de dados armazenados em cada célula. Isso resulta numa melhor integração entre estas células, permitindo inclusive que elas sejam de tamanho reduzido.

Para completar, a Samsung anunciou que vai acelerar a produção de todos os tipos memórias, incluindo DDR4 e para dispositivos móveis, em busca de atingir " a crescente demanda por DRAM em sistemas eletrônicos premium ao redor do mundo". Isso inclui fabricar produtos usando as 2 gerações do processo de 10nm.